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    IPW65R080CFD

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    IPW65R080CFD外观图

  • 数据列表:IPW65R080CFD
  • 标准包装:240
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:CoolMOS™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):700V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:43.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:80 毫欧 @ 17.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 1.76mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:170nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:5030pF @ 100V
  • 功率 - 最大:391W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商设备封装:PG-TO247-3
  • 包装:管件
  • 其它名称:IPW65R080CFDFKSA1SP000745036
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  • 英飞凌新一代高压MOSFET设立能效新标准
    ...,英飞凌已成为能效及功率密度方面的市场领袖。650V CFD2解决方案进一步壮大了CoolMOS™产品阵营,并且设立了新的行业标准,例如,将光伏逆变器的效率提高至98.1%。” 供货情况及定价 IPW65R080CFD(650V、导通电阻80毫欧姆、TO247封装)样片现已开始供货。起订量为1万颗时,单价为6.00美元。 英飞凌650V CoolMOS™ CFD2已在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日...
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